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Transistor: N-MOSFET x2; unipolaire; 45V; 1A; Idm: 2A; 1,25W; TSMT6


Quantité:  Pièces  
Informations sur les produits

N° du produit:
     8DJEB-QS6K21TR
Fabricant:
     ROHM Semiconductor
N°. du fabricant:
     QS6K21TR
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Mots de recherche:
Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET
Transistor CMS
Fabricant: ROHM SEMICONDUCTOR
Montage: SMD
Boîtier: TSMT6
Tension drain-source: 45V
Courant du drain: 1A
Résistance en état de conduction: 585mΩ
Type de transistor: N-MOSFET x2
Puissance de dissipation: 1,25W
Polarisation: unipolaire
Genre de la emballage: bande;rouleau
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs: ESD protected gate
Charge d'entrée: 1,5nC
Genre de canal: enrichi
Tension entrée-source: ±12V
Courant du drain dans l'impulsion: 2A
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