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Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolaire; 1,2kV; 80A; Idm: 280A; 455W


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits

N° du produit:
     8DJEB-MSC017SMA120B
Fabricant:
     MICROCHIP (MICROSEMI)
N°. du fabricant:
     MSC017SMA120B
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Mots de recherche:
Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET
Transistors
Fabricant: MICROCHIP (MICROSEMI)
Montage: THT
Boîtier: TO247-3
Tension drain-source: 1,2kV
Courant du drain: 80A
Résistance en état de conduction: 22mΩ
Type de transistor: N-MOSFET
Puissance de dissipation: 455W
Polarisation: unipolaire
Charge d'entrée: 249nC
La technologie: SiC
Genre de canal: enrichi
Courant du drain dans l'impulsion: 280A
Autres mots de recherche: Transistor, transistors de puissance
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