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Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1,2kV; P3


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits

N° du produit:
     8DJEB-MG35P12P3-YAN
Fabricant:
     YANGJIE TECHNOLOGY
N°. du fabricant:
     MG35P12P3
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Mots de recherche:
Diodes
Diode
Modules IGBT
Module IGBT
Fabricant: YANGJIE TECHNOLOGY
Boîtier: P3
Tension inverse max.: 1,2kV
Construction de semi-conducteur: diode/transistor
Tension entrée - émetteur: ±20V
Courant du collecteur: 35A
Courant du collecteur d'impulsion: 70A
Utilisation: moteurs;onduleur
Montage électrique: Press-in PCB
Montage mécanique: vissés
Type de module: IGBT
Topologie: redresseur 3-phase;demi-pont IGBT x3;thermistor NTC;boost chopper
Autres mots de recherche: Transistors, Transistor, modules igbt
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à partir de 3 Pièces
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par Pièce
à partir de 5 Pièces
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€ 44,93
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à partir de 10 Pièces
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par Pièce
à partir de 20 Pièces
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€ 27,98*
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