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Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolaire; 650V; 40A; Idm: 130A; 370W


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits

N° du produit:
     8DJEB-LGE3M35065Q
Fabricant:
     LUGUANG ELECTRONIC
N°. du fabricant:
     LGE3M35065Q
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Mots de recherche:
MOSFET
Fabricant: LUGUANG ELECTRONIC
Montage: THT
Boîtier: TO247-4
Tension drain-source: 650V
Courant du drain: 40A
Résistance en état de conduction: 55mΩ
Type de transistor: N-MOSFET
Puissance de dissipation: 370W
Polarisation: unipolaire
Genre de la emballage: tube
Prix unitaire: Non
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs: sortie Kelvin
Charge d'entrée: 30nC
La technologie: SiC
Genre de canal: enrichi
Tension entrée-source: -5...18V
Courant du drain dans l'impulsion: 130A
Aperçu des conditions1
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à partir de € 12,62*
  
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Quantité
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Unité
1 Pièce
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€ 28,70
par Pièce
à partir de 2 Pièces
€ 23,60*
€ 28,32
par Pièce
à partir de 3 Pièces
€ 21,23*
€ 25,48
par Pièce
à partir de 5 Pièces
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€ 23,33
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à partir de 10 Pièces
€ 16,87*
€ 20,24
par Pièce
à partir de 20 Pièces
€ 16,69*
€ 20,03
par Pièce
à partir de 30 Pièces
€ 15,93*
€ 19,12
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à partir de 120 Pièces
€ 15,01*
€ 18,01
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à partir de 3000 Pièces
€ 12,62*
€ 15,14
par Pièce
* Les prix accompagnés d'un astérisque sont des prix HT. La TVA en vigueur s'appliquera en sus.
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