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Transistor: P-MOSFET x2; unipolaire; -30V; -1,7A; 1,25W; SO8


Quantité:  Boîte  
Informations sur les produits
Transistor: P-MOSFET x2; unipolaire; -30V; -1,7A; 1,25W; SO8
Transistor: P-MOSFET x2; unipolaire; -30V; -1,7A; 1,25W; SO8
N° du produit:
     8DJEB-IRF7506TRPBF
Fabricant:
     Infineon
N°. du fabricant:
     IRF7506TRPBF
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Mots de recherche:
MOSFET de puissance
Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET
Fabricant: INFINEON TECHNOLOGIES
Montage: SMD
Boîtier: SO8
Tension drain-source: -30V
Courant du drain: -1,7A
Type de transistor: P-MOSFET x2
Puissance de dissipation: 1,25W
Polarisation: unipolaire
Genre de la emballage: rouleau
La technologie: HEXFET®
Genre de canal: enrichi
Autres mots de recherche: Transistors, Transistor, mosfet de puissance
Aperçu des conditions1
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Prix HT
à partir de € 808,80*
  
Le prix est valable à partir de 500 Boîtes
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Prix dégressifs
Quantité
HT
TTC
Unité
1 Boîte
€ 889,04*
€ 1 066,848
par Boîte
à partir de 2 Boîtes
€ 875,96*
€ 1 051,152
par Boîte
à partir de 5 Boîtes
€ 846,76*
€ 1 016,112
par Boîte
à partir de 10 Boîtes
€ 831,12*
€ 997,344
par Boîte
à partir de 500 Boîtes
€ 808,80*
€ 970,56
par Boîte
* Les prix accompagnés d'un astérisque sont des prix HT. La TVA en vigueur s'appliquera en sus.
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