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Module: IGBT; diode/transistor; onduleur 3-niveaux 1-phase; L3.1


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits

N° du produit:
     8DJEB-GD75MLX65L3S
Fabricant:
     STARPOWER SEMICONDUCTOR
N°. du fabricant:
     GD75MLX65L3S
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Mots de recherche:
Modules IGBT
Module IGBT
Transistors
Transistor
Fabricant: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Boîtier: L3.1
Tension inverse max.: 650V
Construction de semi-conducteur: diode/transistor
Tension entrée - émetteur: ±20V
Courant du collecteur: 75A
Courant du collecteur d'impulsion: 150A
Montage électrique: Press-in PCB
Montage mécanique: vissés
Type de module: IGBT
La technologie: Trench FS IGBT
Topologie: thermistor NTC;onduleur 3-niveaux 1-phase
Autres mots de recherche: modules igbt
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