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Module: IGBT; transistor/transistor; demi-pont IGBT; Urmax: 650V


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits

N° du produit:
     8DJEB-GD50HFX65C1S
Fabricant:
     STARPOWER SEMICONDUCTOR
N°. du fabricant:
     GD50HFX65C1S
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Mots de recherche:
Modules IGBT
Module IGBT
Transistors
Transistor
Fabricant: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Boîtier: C1 34mm
Tension inverse max.: 650V
Construction de semi-conducteur: transistor/transistor
Tension entrée - émetteur: ±20V
Courant du collecteur: 50A
Courant du collecteur d'impulsion: 100A
Montage électrique: vissés;FASTON connecteurs
Montage mécanique: vissés
Type de module: IGBT
La technologie: Trench FS IGBT
Topologie: demi-pont IGBT
Autres mots de recherche: modules igbt
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