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Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; L3.0


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits

N° du produit:
     8DJEB-GD35PJY120L3S
Fabricant:
     STARPOWER SEMICONDUCTOR
N°. du fabricant:
     GD35PJY120L3S
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Mots de recherche:
Diodes
Diode
Modules IGBT
Module IGBT
Fabricant: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Boîtier: L3.0
Tension inverse max.: 1,2kV
Construction de semi-conducteur: diode/transistor
Tension entrée - émetteur: ±20V
Courant du collecteur: 35A
Courant du collecteur d'impulsion: 70A
Montage électrique: Press-in PCB
Montage mécanique: vissés
Type de module: IGBT
La technologie: Advanced Trench FS IGBT
Topologie: redresseur 3-phase;thermistor NTC;boost chopper;pont 3-phases IGBT sortie OE
Autres mots de recherche: Transistors, Transistor, modules igbt
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€ 57,29*
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à partir de 4 Pièces
€ 50,56*
€ 60,67
par Pièce
à partir de 5 Pièces
€ 49,32*
€ 59,18
par Pièce
à partir de 10 Pièces
€ 48,95*
€ 58,74
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à partir de 16 Pièces
€ 43,99*
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à partir de 20 Pièces
€ 42,02*
€ 50,42
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à partir de 3000 Pièces
€ 36,57*
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