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Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; L3.0


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits

N° du produit:
     8DJEB-GD25PJY120L3S
Fabricant:
     STARPOWER SEMICONDUCTOR
N°. du fabricant:
     GD25PJY120L3S
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Mots de recherche:
Diodes
Diode
Modules IGBT
Module IGBT
Fabricant: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Boîtier: L3.0
Tension inverse max.: 1,2kV
Construction de semi-conducteur: diode/transistor
Tension entrée - émetteur: ±20V
Courant du collecteur: 25A
Courant du collecteur d'impulsion: 50A
Montage électrique: Press-in PCB
Montage mécanique: vissés
Type de module: IGBT
La technologie: Advanced Trench FS IGBT
Topologie: redresseur 3-phase;thermistor NTC;boost chopper;pont 3-phases IGBT sortie OE
Autres mots de recherche: Transistors, Transistor, modules igbt
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à partir de 4 Pièces
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à partir de 5 Pièces
€ 46,54*
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à partir de 10 Pièces
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à partir de 16 Pièces
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€ 39,42*
€ 47,30
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à partir de 3000 Pièces
€ 34,33*
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