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Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 20A


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits

N° du produit:
     8DJEB-GD20PJX65F1S
Fabricant:
     STARPOWER SEMICONDUCTOR
N°. du fabricant:
     GD20PJX65F1S
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Mots de recherche:
Diodes
Diode
Modules IGBT
Module IGBT
Fabricant: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Boîtier: F1.1
Tension inverse max.: 650V
Construction de semi-conducteur: diode/transistor
Tension entrée - émetteur: ±20V
Courant du collecteur: 20A
Courant du collecteur d'impulsion: 40A
Prix unitaire: Non
Montage électrique: Press-in PCB
Montage mécanique: vissés
Type de module: IGBT
La technologie: Trench FS IGBT
Topologie: redresseur 3-phase;thermistor NTC;boost chopper;pont 3-phases IGBT sortie OE
Autres mots de recherche: Transistors, Transistor, modules igbt
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Quantité
HT
TTC
Unité
1 Pièce
€ 42,45*
€ 50,94
par Pièce
à partir de 2 Pièces
€ 40,27*
€ 48,32
par Pièce
à partir de 3 Pièces
€ 35,67*
€ 42,80
par Pièce
à partir de 5 Pièces
€ 34,21*
€ 41,05
par Pièce
à partir de 10 Pièces
€ 30,45*
€ 36,54
par Pièce
à partir de 20 Pièces
€ 29,83*
€ 35,80
par Pièce
à partir de 25 Pièces
€ 29,59*
€ 35,51
par Pièce
à partir de 3000 Pièces
€ 25,41*
€ 30,49
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