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Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; F4.1


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits

N° du produit:
     8DJEB-GD15PJY120F4S
Fabricant:
     STARPOWER SEMICONDUCTOR
N°. du fabricant:
     GD15PJY120F4S
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Mots de recherche:
Diodes
Diode
Modules IGBT
Module IGBT
Fabricant: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Boîtier: F4.1
Tension inverse max.: 1,2kV
Construction de semi-conducteur: diode/transistor
Tension entrée - émetteur: ±20V
Courant du collecteur: 15A
Courant du collecteur d'impulsion: 30A
Montage électrique: Press-in PCB
Montage mécanique: vissés
Type de module: IGBT
La technologie: Advanced Trench FS IGBT
Topologie: redresseur 3-phase;thermistor NTC;boost chopper;pont 3-phases IGBT sortie OE
Autres mots de recherche: Transistors, Transistor, modules igbt
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HT
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Unité
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€ 54,01
par Pièce
à partir de 2 Pièces
€ 43,11*
€ 51,73
par Pièce
à partir de 3 Pièces
€ 38,11*
€ 45,73
par Pièce
à partir de 5 Pièces
€ 36,56*
€ 43,87
par Pièce
à partir de 10 Pièces
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€ 38,94
par Pièce
à partir de 20 Pièces
€ 30,93*
€ 37,12
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à partir de 25 Pièces
€ 30,59*
€ 36,71
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à partir de 3000 Pièces
€ 26,82*
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par Pièce
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