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Transistor: IGBT; 650V; 30A; 208W; TO247


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits

N° du produit:
     8DJEB-DG30X07T2
Fabricant:
     STARPOWER SEMICONDUCTOR
N°. du fabricant:
     DG30X07T2
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Mots de recherche:
Transistor IGBT
Transistor de puissance
Transistors de puissance
Transistors
Fabricant: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Montage: THT
Boîtier: TO247
Tensions collecteur-émetteur: 650V
Tension entrée - émetteur: ±20V
Courant du collecteur: 30A
Courant du collecteur d'impulsion: 90A
Temps de connection: 0,1µs
Temps d'extinction: 306ns
Type de transistor: IGBT
Puissance de dissipation: 208W
Genre de la emballage: tube
Prix unitaire: Non
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs: integrated anti-parallel diode
Charge d'entrée: 0,22µC
Autres mots de recherche: Transistor, transistor igbt
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