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Transistor: P-MOSFET; unipolaire; -20V; -1,6A; Idm: -6,5A; 500mW


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits

N° du produit:
     8DJEB-CSD25483F4T
Fabricant:
     Texas Instruments
N°. du fabricant:
     CSD25483F4T
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Mots de recherche:
Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET
transistors de puissance
Fabricant: TEXAS INSTRUMENTS
Montage: SMD
Boîtier: PICOSTAR3
Tension drain-source: -20V
Courant du drain: -1,6A
Résistance en état de conduction: 1070mΩ
Type de transistor: P-MOSFET
Puissance de dissipation: 0,5W
Polarisation: unipolaire
Genre de la emballage: bande;rouleau
La technologie: NexFET™
Genre de canal: enrichi
Tension entrée-source: ±12V
Courant du drain dans l'impulsion: -6,5A
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