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Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolaire; 1,2kV; 60A; Idm: 190A; 375W


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits

N° du produit:
     8DJEB-B2M032120Y
Fabricant:
     BASiC SEMICONDUCTOR
N°. du fabricant:
     B2M032120Y
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Mots de recherche:
Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET
Transistors
Fabricant: BASiC SEMICONDUCTOR
Montage: THT
Boîtier: TO247PLUS-4
Tension drain-source: 1,2kV
Courant du drain: 60A
Résistance en état de conduction: 50mΩ
Type de transistor: N-MOSFET
Puissance de dissipation: 375W
Polarisation: unipolaire
Genre de la emballage: tube
Prix unitaire: Non
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs: sortie Kelvin
Charge d'entrée: 40nC
La technologie: SiC
Genre de canal: enrichi
Tension entrée-source: -4...18V
Courant du drain dans l'impulsion: 190A
Autres mots de recherche: Transistor, transistor de puissance
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