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Module: IGBT; transistor/transistor; onduleur 3-niveaux 1-phase


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits

N° du produit:
     8DJEB-APTGT100TL60T3G
Fabricant:
     MICROCHIP (MICROSEMI)
N°. du fabricant:
     APTGT100TL60T3G
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Mots de recherche:
Modules IGBT
Module IGBT
Transistor de puissance
Transistors de puissance
Fabricant: MICROCHIP (MICROSEMI)
Boîtier: SP3
Tension inverse max.: 0,6kV
Construction de semi-conducteur: transistor/transistor
Tension entrée - émetteur: ±20V
Courant du collecteur: 100A
Courant du collecteur d'impulsion: 200A
Puissance de dissipation: 340W
Prix unitaire: Non
Montage électrique: Press-in PCB
Montage mécanique: vissés
Type de module: IGBT
#Actions #promotionelles: aac_202202
La technologie: Field Stop
Topologie: thermistor NTC;onduleur 3-niveaux 1-phase
Autres mots de recherche: Transistors, Transistor, transistor de puissance
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