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Module; diode SiC/transistor; 600V; 38A; SP3F; Press-in PCB; 250W


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits

N° du produit:
     8DJEB-APTCV60HM45RCT3G
Fabricant:
     MICROCHIP (MICROSEMI)
N°. du fabricant:
     APTCV60HM45RCT3G
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Mots de recherche:
Diodes
Diode
Modules IGBT
Module IGBT
Fabricant: MICROCHIP (MICROSEMI)
Boîtier: SP3F
Construction de semi-conducteur: diode SiC/transistor
Tension drain-source: 600V
Courant du drain: 38A
Courant du collecteur: 50A
Résistance en état de conduction: 45mΩ
Puissance de dissipation: 250W
Montage électrique: Press-in PCB
Montage mécanique: vissés
Type de module: de transistor MOSFET/IGBT
La technologie: SiC;CoolMOS™;Trench;Field Stop
Tension entrée-source: ±20V
Topologie: thermistor NTC;redresseur H;redresseur 1-phase à diodes
Courant du drain dans l'impulsion: 130A
Aperçu des conditions1
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à partir de € 104,66*
  
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HT
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Unité
1 Pièce
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€ 190,13
par Pièce
à partir de 2 Pièces
€ 157,48*
€ 188,98
par Pièce
à partir de 3 Pièces
€ 140,99*
€ 169,19
par Pièce
à partir de 5 Pièces
€ 134,52*
€ 161,42
par Pièce
à partir de 10 Pièces
€ 114,41*
€ 137,29
par Pièce
à partir de 500 Pièces
€ 104,66*
€ 125,59
par Pièce
* Les prix accompagnés d'un astérisque sont des prix HT. La TVA en vigueur s'appliquera en sus.
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