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Transistor: IGBT; PT; 600V; 100A; 1041W; T-Max


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits
Transistor: IGBT; PT; 600V; 100A; 1041W; T-Max
Transistor: IGBT; PT; 600V; 100A; 1041W; T-Max
N° du produit:
     8DJEB-APT80GP60B2G
Fabricant:
     MICROCHIP (MICROSEMI)
N°. du fabricant:
     APT80GP60B2G
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Mots de recherche:
Transistor IGBT
Transistor de puissance
Transistors de puissance
Transistors
Fabricant: MICROCHIP (MICROSEMI)
Montage: THT
Boîtier: T-Max
Tensions collecteur-émetteur: 600V
Tension entrée - émetteur: ±20V
Courant du collecteur: 100A
Courant du collecteur d'impulsion: 330A
Temps de connection: 69ns
Temps d'extinction: 233ns
Type de transistor: IGBT
Puissance de dissipation: 1041W
Genre de la emballage: tube
Charge d'entrée: 280nC
La technologie: POWER MOS 7®;PT
Autres mots de recherche: Transistor, transistor igbt
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