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Transistor: IGBT; NPT; 1,2kV; 50A; 625W; T-Max


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits
Transistor: IGBT; NPT; 1,2kV; 50A; 625W; T-Max
Transistor: IGBT; NPT; 1,2kV; 50A; 625W; T-Max
N° du produit:
     8DJEB-APT50GT120B2RDQ2G
Fabricant:
     MICROCHIP (MICROSEMI)
N°. du fabricant:
     APT50GT120B2RDQ2G
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Mots de recherche:
Transistor IGBT
Transistor de puissance
Transistors de puissance
Transistors
Fabricant: MICROCHIP (MICROSEMI)
Montage: THT
Boîtier: T-Max
Tensions collecteur-émetteur: 1,2kV
Tension entrée - émetteur: ±30V
Courant du collecteur: 50A
Courant du collecteur d'impulsion: 150A
Temps de connection: 77ns
Temps d'extinction: 303ns
Type de transistor: IGBT
Puissance de dissipation: 625W
Genre de la emballage: tube
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs: integrated anti-parallel diode
Charge d'entrée: 340nC
La technologie: NPT
Autres mots de recherche: Transistor, transistor igbt
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à partir de 5 Pièces
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