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Transistor: IGBT; NPT; 1,2kV; 25A; 521W; TO247-3


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits
Transistor: IGBT; NPT; 1,2kV; 25A; 521W; TO247-3
Transistor: IGBT; NPT; 1,2kV; 25A; 521W; TO247-3
N° du produit:
     8DJEB-APT25GR120BD15
Fabricant:
     MICROCHIP (MICROSEMI)
N°. du fabricant:
     APT25GR120BD15
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Mots de recherche:
Transistor IGBT
Transistor de puissance
Transistors de puissance
Transistors
Fabricant: MICROCHIP (MICROSEMI)
Montage: THT
Boîtier: TO247-3
Tensions collecteur-émetteur: 1,2kV
Tension entrée - émetteur: ±30V
Courant du collecteur: 25A
Courant du collecteur d'impulsion: 100A
Temps de connection: 26ns
Temps d'extinction: 164ns
Type de transistor: IGBT
Puissance de dissipation: 521W
Genre de la emballage: tube
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs: integrated anti-parallel diode
Charge d'entrée: 154nC
La technologie: POWER MOS 8®;NPT
Statut de la pièce: Non recommandé aux nouveaux projets
Autres mots de recherche: Transistor, transistor igbt
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