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Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolaire; 1kV; 21A; Idm: 84A


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits

N° du produit:
     8DJEB-APT10050B2VFRG
Fabricant:
     MICROCHIP (MICROSEMI)
N°. du fabricant:
     APT10050B2VFRG
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Mots de recherche:
Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET
Transistors
Fabricant: MICROCHIP (MICROSEMI)
Montage: THT
Boîtier: TO247MAX
Tension drain-source: 1kV
Courant du drain: 21A
Résistance en état de conduction: 0,5Ω
Type de transistor: N-MOSFET
Puissance de dissipation: 520W
Polarisation: unipolaire
Charge d'entrée: 500nC
La technologie: POWER MOS 5®
Genre de canal: enrichi
Tension entrée-source: ±30V
Courant du drain dans l'impulsion: 84A
Autres mots de recherche: Transistor, transistors de puissance
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