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Isabellenhütte PBV-R033-F1-1.0 PBV-R033-F1-1.0 Résistance à couche métallique 33 mΩ THT 10 W 1 % 1 pc(s)


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits

N° du produit:
     7391-3207988-BP
Fabricant:
     Isabellenhütte
N°. du fabricant:
     PBV-R033-F1-1.0
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Mots de recherche:
Transistor de puissance
Transistors de puissance
Résistance de puissance
Résistances de puissance
Résistance à couche métallique, 33 mΩ, 3 W, ± 1 %

Isabellenhütte PBV-R033-F1-1.0
Contenu: 1 pc(s)


Résistances à feuille métallique de précision 3,0/10 watts tolérance 1,0 % série ISA-PLAN type Isabellenhütte PBV..F1. Avec connexion à quatre fils. Spécialement conçu pour une utilisation dans la gamme basse résistance afin de garantir un coefficient de température minimal et l'indépendance de la valeur de résistance par rapport à la qualité du soudage. Le design est largement compatible avec les transistors de puissance modernes. Un trou de montage central est utilisé pour monter la résistance sur un dissipateur de chaleur afin d'optimiser le transfert de chaleur sur la grande plaque de base. Caractéristiques * connexion 4 terminaux * excellente stabilité à long terme * conforme RoHS applications * modules de puissance * convertisseur de fréquence * alimentations commutables

Ce texte a été traduit par une machine.

Données techniques : Charge admissible (électrique) : 10 W · Coefficient de température : 30 ppm/K · Dimensions produit, hauteur : 17.5 mm · Dimensions produit, largeur : 4.45 mm · Données techniques complémentaires : Forme : radiale
Modèle : résistance de couche métallique de précision
Largeur : 4.45 mm -
Hauteur : 17.5 mm
Longueur 22.5 mm
Poids : 0.00579 kg
Puissance : 3 W
Température max. : 125 °C
Tension d'isolement : 500 V
Température min. : -55 °C
Résistance résistive : 33 mΩ
Coefficient de température : 30 ppm/K.
Tolérance : ±1 %
Montage : THT
Charge nominale : 10 W · Longueur : 22.5 mm · Tolérance (+/-) : 1 % · Type de construction (résistance/condensateur) : THT · Valeur résistive (résistance) : 33 mΩ
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