Infineon Technologies BSS123NH MOSFET 1 Canal N 500 mW TO-236-3

MOSFET

Infineon Technologies BSS123NH
Type de boîtier (semi-conducteur): TO-236-3
Conditionnement: 1 pc(s)

Type à enrichissement du canal N

Données techniques :
C(ISS) : 20.9 pF · C(ISS) Tension de référence : 25 V · Disponible en logiciel PCB : Target 3001! · Fabricant : Infineon Technologies · Fonction FET : Porte de niveau logique · I(d) : 190 mA · Nombre de sorties : 1 · Puissance maxi : 500 mW · Q(G) : 0.9 C · Q(G) Tension de référence : 10 V · R(DS)(on) : 6 Ω · R(DS)(on) Courant de référence : 190 mA · R(DS)(on) Tension de référence : 10 V · Sigle du fabricant (composants) : INF · Série (semiconducteur) : OptiMOSü™ · Température de fonctionnement (max.) (num) : +150 °C · Température de fonctionnement (min.) (num) : -55 °C · Tension de rupture U(BR) (DSS) : 100 V · Type (type fabricant) : BSS123NH · Type de FET : Canal N · Type de boîtier (semi-conducteur) : TO-236-3 · Type de montage : montage en surface · Type de transistor (Catégorisation) : MOSFET · U(DSS) : 100 V · U(GS)(th) Courant de référence max. : 13 µA · U(GS)(th) max. : 1.8 V