Nexperia 2N7002,215 MOSFET 1 Canal N 0.83 W SOT-23

MOSFET

NXP Semiconductors 2N7002GEG-HSMD
Type de boîtier (semi-conducteur): SOT-23
Conditionnement: 1 pc(s)

Données techniques :
C(ISS) : 40 pF · C(ISS) Tension de référence : 10 V · Disponible en logiciel PCB : Target 3001! · Fabricant : NXP Semiconductors · I(d) : 300 mA · Nombre de sorties : 1 · Puissance maxi : 0.83 W · R(DS)(on) : 5 Ω · R(DS)(on) Courant de référence : 500 mA · R(DS)(on) Tension de référence : 10 V · Sigle du fabricant (composants) : NXP · Température de fonctionnement (max.) (num) : +150 °C · Température de fonctionnement (min.) (num) : -65 °C · Tension de rupture U(BR) (DSS) : 60 V · Type (type fabricant) : 2N7002GEG-HSMD · Type de FET : Canal N · Type de boîtier (semi-conducteur) : SOT-23 · Type de montage : montage en surface · Type de transistor (Catégorisation) : MOSFET · U(DSS) : 60 V · U(GS)(th) Courant de référence max. : 1 mA · U(GS)(th) max. : 3 V