TOSHIBA TPN4800CQH,L1Q(M MOSFET, CANAL N, 150V, 18A, TSON

Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.039 ohm Gamme de produit U-MOSX-H Series Nombre de broches 8 Broche(s) Montage transistor Montage en surface Type de canal Canal N Courant de drain Id 29 A Température de fonctionnement max.. 175 °C Type de boîtier de transistor TSON Tension Vds max.. 150 V Dissipation de puissance 86 W Qualification - Tension de seuil Vgs Max 4.3 V SVHC To Be Advised