TOSHIBA TK650A60F,S4X(S MOSFET, CANAL N, 600V, 11A, TO-220SIS

Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.54 ohm Gamme de produit - Nombre de broches 3 Broche(s) Montage transistor Traversant Type de canal Canal N Courant de drain Id 11 A Température de fonctionnement max.. 150 °C Type de boîtier de transistor TO-220SIS Tension Vds max.. 600 V Dissipation de puissance 45 W Qualification - Tension de seuil Vgs Max 4 V SVHC To Be Advised