YAGEO XSEMI XP2530AGY MOSFET, CANAL N & P, 30V, 3.3A, SOT-26

Tension Drain Source Vds, Canal N 30 V Courant de drain continu Id, Canal P 2.3 A Gamme de produit - Nombre de broches 6 Broche(s) Tension drain source Vds, Canal P 30 V Courant de drain continu Id, Canal N 3.3 A Résistance Etat ON Drain Source, Canal N 0.072 ohm Type de canal Canal N et P Résistance Etat ON Drain Source, Canal P 0.15 ohm Dissipation de puissance Canal P 1.136 W Dissipation de puissance, Canal P 1.136 W Température de fonctionnement max.. 150 °C Type de boîtier de transistor SOT-26 Qualification - SVHC To Be Advised