ROHM R6014YND3TL1 MOSFET, CANAL N, 600V, 14A, TO-252

Tension de test Rds(on) 12 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.215 ohm Gamme de produit - Nombre de broches 3 Broche(s) Montage transistor Montage en surface Type de canal Canal N Type de boîtier de transistor TO-252 Courant de drain Id 14 A Température de fonctionnement max.. 150 °C Tension Vds max.. 600 V Dissipation de puissance 132 W Qualification - Tension de seuil Vgs Max 6 V SVHC To Be Advised