ONSEMI NTMT045N065SC1 MOSFET, SIC, 650V, 39A, TDFN

Tension de test Rds(on) 18 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.033 ohm Gamme de produit - Nombre de broches 4 Broche(s) Configuration du module MOSFET Simple Type de canal Canal N Courant de drain Id 39 A Température de fonctionnement max.. 175 °C Type de boîtier de transistor TDFN Tension Vds max.. 650 V Dissipation de puissance 187 W Tension de seuil Vgs Max 4.3 V SVHC No SVHC (15-Jan-2018)