Informations sur les produits | ![](/p.gif) |
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| N° du produit: 7014-4014287 N°. du fabricant: UJ3N120070K3S EAN/GTIN: Pas d'information |
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![](/p.gif) | Tension de test Rds(on) 2 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.063 ohm Gamme de produit - Nombre de broches 3 Broche(s) Configuration du module MOSFET Simple Type de canal Canal N Type de boîtier de transistor TO-247 Courant de drain Id 33.5 A Température de fonctionnement max.. 175 °C Tension Vds max.. 1.2 kV Dissipation de puissance 254 W Tension de seuil Vgs Max 11.5 V SVHC No SVHC (17-Jan-2023) |
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![](/p.gif) | Autres mots de recherche: Diode Schottky, Diodes Schottky, transistors de puissance, (SiC), Carbide, Composants, discrets, MOSFET, puissance, Semiconducteurs, Silicon, Transistors, QORVO, UJ3N120070K3S, 4014287, 401-4287 |
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