VISHAY SI2301CDS-T1-GE3 MOSFET, CANAL P, 20V, 3.1A, TO-236

Tension de test Rds(on) 2.5 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.142 ohm Gamme de produit - MSL MSL 1 - Illimité Nombre de broches 3 Broche(s) Montage transistor Montage en surface Type de canal Canal P Courant de drain Id 3.1 A Température de fonctionnement max.. 150 °C Type de boîtier de transistor TO-236 Tension Vds max.. 20 V Dissipation de puissance 860 mW Qualification - Tension de seuil Vgs Max 400 mV SVHC To Be Advised