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VISHAY SI4160DY-T1-GE3 MOSFET CANAL N, 30V 25,4A SOIC


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N° du produit:
     7014-3772753
Fabricant:
     Vishay
N°. du fabricant:
     SI4160DY-T1-GE3
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Fiche technique du produit
Mots de recherche:
Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET
transistor de puissance
Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.004 ohm Gamme de produit Trench MSL MSL 1 - Illimité Nombre de broches 8 Broche(s) Montage transistor Montage en surface Type de canal Canal N Courant de drain Id 25.4 A Température de fonctionnement max.. 150 °C Type de boîtier de transistor SOIC Tension Vds max.. 30 V Dissipation de puissance 5.7 W Qualification - Tension de seuil Vgs Max 1 V SVHC To Be Advised
Autres mots de recherche: Composants, discrets, puissance, Semiconducteurs, Simple, Transistors, VISHAY, SI4160DY-T1-GE3, 3772753, 377-2753
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