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ROHM RQ3G110ATTB MOSFET CANAL P 40V 35A HSMT


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N° du produit:
     7014-3605702
Fabricant:
     ROHM Semiconductor
N°. du fabricant:
     RQ3G110ATTB
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Fiche technique du produit
Mots de recherche:
Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET
transistor de puissance
Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.0098 ohm Gamme de produit - MSL MSL 1 - Illimité Nombre de broches 8 Broche(s) Montage transistor Montage en surface Type de canal Canal P Courant de drain Id 35 A Température de fonctionnement max.. 150 °C Type de boîtier de transistor HSMT Tension Vds max.. 40 V Dissipation de puissance 2 W Qualification - Tension de seuil Vgs Max 2.5 V SVHC No SVHC (23-Jan-2024)
Autres mots de recherche: Composants, discrets, puissance, Semiconducteurs, Simple, Transistors, ROHM, RQ3G110ATTB, 3605702, 360-5702
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