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DIODES INC. DMT6018LDR-7 DOUBLE MOSFET CANAL N, 60V 8.8A VDFN3030


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N° du produit:
     7014-3518400
Fabricant:
     Diodes
N°. du fabricant:
     DMT6018LDR-7
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Fiche technique du produit
Mots de recherche:
Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET
transistor de puissance
Tension Drain Source Vds, Canal N 60 V Courant de drain continu Id, Canal P 8.8 A Gamme de produit - MSL MSL 1 - Illimité Nombre de broches 8 Broche(s) Tension drain source Vds, Canal P 60 V Courant de drain continu Id, Canal N 8.8 A Résistance Etat ON Drain Source, Canal N 0.013 ohm Type de canal Canal N Résistance Etat ON Drain Source, Canal P 0.013 ohm Dissipation de puissance Canal P 1.1 W Dissipation de puissance, Canal P 1.1 W Température de fonctionnement max.. 150 °C Type de boîtier de transistor VDFN3030 Qualification - SVHC No SVHC (15-Jan-2018)
Autres mots de recherche: Composants, discrets, Double, puissance, Semiconducteurs, Transistors, DIODES INC., DMT6018LDR-7, 3518400, 351-8400
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