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VISHAY SI4143DY-T1-GE3 MOSFET, CANAL P 30V 25,3A 150ø, 6W


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Informations sur les produits
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N° du produit:
     7014-3470713
Fabricant:
     Vishay
N°. du fabricant:
     SI4143DY-T1-GE3
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Fiche technique du produit
Mots de recherche:
Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET
transistor de puissance
Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.0051 ohm Gamme de produit TrenchFET MSL MSL 1 - Illimité Nombre de broches 8 Broche(s) Montage transistor Montage en surface Type de canal Canal P Courant de drain Id 25.3 A Température de fonctionnement max.. 150 °C Type de boîtier de transistor SOIC Tension Vds max.. 30 V Dissipation de puissance 6 W Qualification - Tension de seuil Vgs Max 2.5 V SVHC To Be Advised
Autres mots de recherche: Composants, discrets, puissance, Semiconducteurs, Simple, Transistors, VISHAY, SI4143DY-T1-GE3, 3470713, 347-0713
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