NEXPERIA PDTC114EM,315 TRANSISTOR RF, NPN, 50V, 0,1A, DFN1006

Gamme de produit PDTC114E Series MSL MSL 1 - Illimité Résistance base R1 10 kohm Résistance Base-Emetteur R2 10 kohm Nbre de broches 3 broches Montage transistor Montage en surface Polarité transistor Simple NPN Température de fonctionnement max.. 150 °C Type de boîtier de transistor DFN1006 Courant Collecteur Continu 100 mA Gain de courant DC hFE Min 30 hFE Dissipation de puissance 250 mW Qualification AEC-Q101 SVHC No SVHC (15-Jan-2018) Tension Collecteur Emetteur Max PNP - Tension Collecteur Emetteur Max NPN 50 V