IXYS SEMICONDUCTOR IXTP120P065T MOSFET CANAL P 65V 120A TO-220AB

Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.01 ohm Gamme de produit TrenchP Nombre de broches 3 Broche(s) Montage transistor Traversant Type de canal Canal P Courant de drain Id 120 A Température de fonctionnement max.. 150 °C Type de boîtier de transistor TO-220AB Tension Vds max.. 65 V Dissipation de puissance 298 W Qualification - Tension de seuil Vgs Max 4 V SVHC No SVHC (12-Jan-2017)