VISHAY SIHB17N80E-GE3 MOSFET,CANAL N, 800V, 15A, TO-263AB

Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.25 ohm Gamme de produit E Nombre de broches 3 Broche(s) Montage transistor Montage en surface Type de canal Canal N Courant de drain Id 15 A Température de fonctionnement max.. 150 °C Type de boîtier de transistor TO-263AB Tension Vds max.. 800 V Dissipation de puissance 208 W Qualification - Tension de seuil Vgs Max 4 V SVHC To Be Advised