VISHAY SIHA105N60EF-GE3 MOSFET, CANAL N, 600V, 29A, 150°C, 35W

Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.088 ohm Gamme de produit EF IV Gen MSL MSL 1 - Illimité Nombre de broches 3 Broche(s) Montage transistor Traversant Type de canal Canal N Courant de drain Id 29 A Température de fonctionnement max.. 150 °C Type de boîtier de transistor TO-220FP Tension Vds max.. 600 V Dissipation de puissance 35 W Qualification - Tension de seuil Vgs Max 5 V SVHC To Be Advised