ONSEMI NCV8402ADDR2G MOSFET AEC-Q101 DOUBLE CANA N 42V SOIC-8

Tension Drain Source Vds, Canal N 42 V Courant de drain continu Id, Canal P 2 A Gamme de produit - MSL MSL 1 - Illimité Nombre de broches 8 Broche(s) Tension drain source Vds, Canal P 42 V Courant de drain continu Id, Canal N 2 A Résistance Etat ON Drain Source, Canal N 0.165 ohm Type de canal Canal N Résistance Etat ON Drain Source, Canal P 0.165 ohm Dissipation de puissance Canal P 1.62 W Dissipation de puissance, Canal P 1.62 W Température de fonctionnement max.. 150 °C Type de boîtier de transistor SOIC Qualification - SVHC No SVHC (15-Jan-2018)