ROHM QS8M51FRATR MOSFET, AEC-Q101, N&P, 100V, 2A, TSMT

Résistance Etat ON Drain Source, Canal P 0.24 ohm Dissipation de puissance Canal P 1.5 W Dissipation de puissance, Canal P 1.5 W Tension Drain Source Vds, Canal N 100 V Courant de drain continu Id, Canal P 2 A Gamme de produit - MSL MSL 1 - Illimité Nombre de broches 8 Broche(s) Tension drain source Vds, Canal P 100 V Courant de drain continu Id, Canal N 2 A Résistance Etat ON Drain Source, Canal N 0.24 ohm Type de canal Complémentaire canal N et P Température de fonctionnement max.. 150 °C Type de boîtier de transistor TSMT Qualification AEC-Q101 SVHC No SVHC (23-Jan-2024)