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ROHM RQ3E120BNTB MOSFET CANAL N 30V 12A HSMT-8


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N° du produit:
     7014-2490609
Fabricant:
     ROHM Semiconductor
N°. du fabricant:
     RQ3E120BNTB
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Fiche technique du produit
Mots de recherche:
Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET
transistors de puissance
Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.0066 ohm Gamme de produit - MSL - Nombre de broches 8 Broche(s) Montage transistor Montage en surface Type de canal Canal N Courant de drain Id 12 A Température de fonctionnement max.. 150 °C Type de boîtier de transistor HSMT Tension Vds max.. 30 V Dissipation de puissance 2 W Qualification - Tension de seuil Vgs Max 2.5 V SVHC No SVHC (17-Jan-2023)
Autres mots de recherche: Composants, discrets, puissance, Semiconducteurs, Simple, Transistors, ROHM, RQ3E120BNTB, 2490609, 249-0609
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