ONSEMI FDC6310P MOSFET, 2 P-CH, -20V, -2.2A, SOT-23-6

Tension Drain Source Vds, Canal N 20 V Courant de drain continu Id, Canal P 2.2 A Gamme de produit - MSL MSL 1 - Illimité Nombre de broches 6 Broche(s) Tension drain source Vds, Canal P 20 V Courant de drain continu Id, Canal N 2.2 A Résistance Etat ON Drain Source, Canal N 0.1 ohm Type de canal Canal P Résistance Etat ON Drain Source, Canal P 0.1 ohm Dissipation de puissance Canal P 960 mW Dissipation de puissance, Canal P 960 mW Température de fonctionnement max.. 150 °C Type de boîtier de transistor SOT-23 Qualification - SVHC No SVHC (23-Jan-2024)