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ONSEMI FDB047N10 MOSFET CANAL N 100V 120A TO-263-3


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N° du produit:
     7014-2323156
Fabricant:
     onsemi
N°. du fabricant:
     FDB047N10
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Fiche technique du produit
Mots de recherche:
Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET
transistor de puissance
Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.0039 ohm Gamme de produit - MSL MSL 1 - Illimité Nombre de broches 3 Broche(s) Montage transistor Montage en surface Type de canal Canal N Courant de drain Id 120 A Température de fonctionnement max.. 175 °C Type de boîtier de transistor TO-263AB Tension Vds max.. 100 V Dissipation de puissance 375 W Qualification - Tension de seuil Vgs Max 3.5 V SVHC Lead (23-Jan-2024)
Autres mots de recherche: Composants, discrets, puissance, Semiconducteurs, Simple, Transistors, ONSEMI, FDB047N10, 2323156, 232-3156
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Période:Dans les 21 jours
État de l'emballage:Emballage d'origine ouvert, non endommagé
État de la marchandise:Non utilisé
Frais de retour:A la charge du client
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