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NEXPERIA PSMN1R7-60BS Rds(on) Test Voltage 10 V Drain Source On State


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N° du produit:
     7014-2114712
Fabricant:
     Nexperia
N°. du fabricant:
     PSMN1R7-60BS
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Mots de recherche:
MOSFET de puissance
Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET
Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.00166 ohm Gamme de produit - MSL MSL 1 - Illimité Nombre de broches 3 Broche(s) Montage transistor Montage en surface Type de canal Canal N Courant de drain Id 120 A Température de fonctionnement max.. 175 °C Type de boîtier de transistor TO-263 (D2PAK) Tension Vds max.. 60 V Dissipation de puissance 306 W Qualification - Tension de seuil Vgs Max 3 V SVHC Lead (27-Jun-2024)
Autres mots de recherche: mosfet de puissance, Composants, discrets, puissance, Semiconducteurs, Simple, Transistors, NEXPERIA, PSMN1R7-60BS, 2114712, 211-4712
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onsemi
FAN3100CSX
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