ON SEMICONDUCTOR FDMC86102 Power Dissipation 41 W Qualification - Gate Source

Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.0194 ohm Gamme de produit - MSL MSL 1 - Illimité Nombre de broches 8 Broche(s) Montage transistor Montage en surface Type de canal Canal N Courant de drain Id 20 A Température de fonctionnement max.. 150 °C Type de boîtier de transistor Power 33 Tension Vds max.. 100 V Dissipation de puissance 41 W Qualification - Tension de seuil Vgs Max 3.1 V SVHC No SVHC (23-Jan-2024)