ONSEMI FDG6303N TRANSISTOR MOSFET NN

Tension Drain Source Vds, Canal N 25 V Courant de drain continu Id, Canal P - Gamme de produit - MSL MSL 1 - Illimité Nombre de broches 6 Broche(s) Tension drain source Vds, Canal P - Courant de drain continu Id, Canal N 500 mA Résistance Etat ON Drain Source, Canal N 0.34 ohm Type de canal Canal N Résistance Etat ON Drain Source, Canal P - Dissipation de puissance Canal P 300 mW Dissipation de puissance, Canal P - Température de fonctionnement max.. 150 °C Type de boîtier de transistor SC-70 Qualification - SVHC No SVHC (23-Jan-2024)