IGBT, STGP10M65DF2, , 20 A, 650 V, A-220, 3 broches, Simple

Quantité:

Boîte

Informations sur les produits

N° du produit:
1295E-9062795

Fabricant:
ST Microelectronics

N°. du fabricant:
STGP10M65DF2

EAN/GTIN:
5059042197990

Mots de recherche:

Transistors bipolaires à portée isolée (IGBT), STMicroelectronics

Plus d'informations:


Courant continu de Collecteur maximum:	20 A
Tension Collecteur Emetteur maximum:	650 V
Tension Grille Emetteur maximum:	±20V
Dissipation de puissance maximum:	115 W
Type de boîtier:	A-220
Type de montage:	Traversant
Type de canal:	N
Nombre de broches:	3
Configuration du transistor:	Simple
Dimensions:	10.4 x 4.6 x 15.75mm
Indice énergétique:	0.66mJ
Capacité de grille:	840pF
Température d'utilisation maximum:	+175 °C
Température de fonctionnement minimum:	-55 °C

Autres mots de recherche: Transistor, transistor igbt, 9062795, Semi-conducteurs, Composants discrets, IGBT, STMicroelectronics, STGP10M65DF2

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