Informations sur les produits |  |
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| N° du produit:
1295E-8647843 N°. du fabricant:
MMBD352LT1G EAN/GTIN:
5059042668025 |
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| Les produits dont le préfixe de la référence fabricant commence par NSV- ou S- sont certifiés AEC-Q101 pour l'automobile. Diodes de commutation RF, ON Semiconductor. Diodes RF (radiofréquence) diodes adaptées à les applications de mélangeur et de détection HF, RF et micro-ondes. Plus d'informations: | | Configuration de diode: | Série | Type de montage: | CMS | Nombre d'éléments par circuit: | 2 | Tension inverse maximum: | 7V | Type de boîtier: | SOT-23 | Technologie de diode: | Jonction au silicium | Chute minimale de tension directe: | 600mV | Nombre de broches: | 3 | Capacitance de diode maximum: | 1pF | Température de fonctionnement minimum: | -55 °C | Température d'utilisation maximum: | +150 °C | Longueur: | 3.04mm | Largeur: | 1.4mm | Hauteur: | 1.11mm | Dimensions: | 3.04 x 1.4 x 1.11mm |
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| Autres mots de recherche: Diode hyperfréquence, Diodes hyperfréquence, Diode de commutation, Diodes de commutation, Diode Schottky, Diodes Schottky, diode micro-ondes, 8647843, Semi-conducteurs, Composants discrets, onsemi, MMBD352LT1G |
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