Informations sur les produits |  |
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| N° du produit:
1295E-8193914 N°. du fabricant:
SQ3456BEV-T1_GE3 EAN/GTIN:
5059040851825 |
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| AEC-Q101. Transistor MOSFET canal N, série SQ Rugged pour l'automobile, Vishay Semiconductor. La série SQ de transistors MOSFET de Vishay Semiconductor est conçue pour toutes les applications automobiles qui exigent une robustesse et une fiabilité élevée. Avantages des transistors MOSFET de la série SQ Rugged. Certifié AEC-Q101 Température de jonction jusqu'à +175 °C Technologies TrenchFET® à canal N et P à faible résistance à l'état passant Options de boîtier innovantes à gain de place Plus d'informations: | | Type de canal: | N | Courant continu de Drain maximum: | 7,8 A | Tension Drain Source maximum: | 30 V | Type de boîtier: | TSOP-6 | Série: | SQ Rugged | Type de montage: | CMS | Nombre de broches: | 6 | Résistance Drain Source maximum: | 64 mΩ | Mode de canal: | Enrichissement | Tension de seuil minimale de la grille: | 1.5V | Dissipation de puissance maximum: | 4 W | Configuration du transistor: | Simple | Tension Grille Source maximum: | -20 V, +20 V | Longueur: | 3.1mm | Température d'utilisation maximum: | +175 °C |
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| Autres mots de recherche: 8193914, Semi-conducteurs, Composants discrets, Transistors MOSFET, Vishay, SQ3456BEVT1_GE3 |
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