Informations sur les produits | ![](/p.gif) |
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| N° du produit: 1295E-8141304 N°. du fabricant: SIS415DNT-T1-GE3 EAN/GTIN: 5059040745490 |
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![](/p.gif) | Transistor MOSFET canal P, de 8 à 20 V, Vishay Semiconductor Plus d'informations: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Type de canal: | P | Courant continu de Drain maximum: | 22 A | Tension Drain Source maximum: | 20 V | Type de boîtier: | PowerPAK 1212-8 | Type de montage: | CMS | Nombre de broches: | 8 | Résistance Drain Source maximum: | 9,5 mΩ | Mode de canal: | Enrichissement | Tension de seuil minimale de la grille: | 0.4V | Dissipation de puissance maximum: | 52 W | Configuration du transistor: | Simple | Tension Grille Source maximum: | -12 V, +12 V | Longueur: | 3.4mm | Température d'utilisation maximum: | +150 °C | Nombre d'éléments par circuit: | 1 |
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![](/p.gif) | Autres mots de recherche: 8141304, Semi-conducteurs, Composants discrets, Transistors MOSFET, Vishay, SIS415DNTT1GE3 |
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